Samsung no sólo es uno de los gigantes tecnológicos más conocidos del mundo, también es uno de los pilares fundamentales del mercado global de memoria. Como uno de los mayores fabricantes de RAM y chips DRAM, sus memorias están presentes en productos de compañías como NVIDIA, AMD, Intel o grandes proveedores de centros de datos, siendo clave en el desarrollo de hardware para inteligencia artificial.
Ahora, la compañía ha anunciado el envío de las primeras muestras de HBM4E, convirtiéndose en la primera en la industria en avanzar hacia esta nueva generación de memoria de alto ancho de banda. Este movimiento llega apenas meses después de iniciar la producción masiva de HBM4, reforzando su posición en un mercado clave para el desarrollo de sistemas de IA avanzados.
Más velocidad y capacidad para la era de la IA
La memoria HBM4E de Samsung alcanza velocidades de hasta 16 Gbps, superando en más de un 20% a la generación anterior. Además, ofrece un ancho de banda de hasta 3,6 TB/s por stack. En cuanto a capacidad, la versión inicial llega en configuración de 12 capas con 48 GB, aunque la compañía ya planea variantes de 32 GB y hasta 64 GB para adaptarse a diferentes necesidades.
Más eficiente y mejor disipación
Uno de los avances más importantes está en la eficiencia. Gracias a mejoras en diseño y empaquetado, Samsung ha conseguido aumentar la eficiencia energética en un 16% y mejorar la disipación térmica en más de un 14%. Esto conllevará que los sistemas sean más estables, con menor consumo y mayor fiabilidad en entornos de alto rendimiento, algo importantísimo en los centros de datos.
El HBM4E combina procesos DRAM de sexta generación (10 nm) con un chip base lógico de 4 nm desarrollado por Samsung Foundry. Esta integración permite optimizar tanto el rendimiento como la fabricación, algo clave en un mercado donde la demanda no deja de crecer.
Samsung iniciará la producción en masa de estos chips una vez finalice la fase de pruebas con sus socios, en función de la demanda.
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